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AMD, IBM und Toshiba haben gestern auf dem International Electron Devices Meeting 2008 bekannt gegeben, dass sie die kleinste SRAM-Zelle (statischer Arbeitsspeicher) entwickelt haben. Mit der Größe von 0,128 μm² ist sie die kleinste funktionierende SRAM-Zelle mit lamellenförmigen Feldeffekttransistoren (FinFET) der Welt.

Die SRAM-Zelle wurde mittels dem zukunftssicherem High-k/Metall-Gate-Material (HKMG) entwickelt, welches gravierende Vorteile gegenüber planaren FET-Zellen bietet. SRAM-Zellen mit lamellenförmigen undotierten Siliziumkanälen, Schaltkreise die z.B. in Mikroprozessoren enthalten sind, werden verwendet, um schnellere und effektivere Prozessoren herzustellen. So wird die neue SRAM-Zelle einen großen Beitrag leisten, den Stromkonsum in zukünftigen CPUs zu veringern.

Die Forscher, der 3 Unternehmen, versprechen sich einen großen Fortschritt für das "bald" aktuelle 22nm Fertigungsverfahren. Herkömmliche FET-Zellen, können wegen "unerwünschter Variabilität", die durch das Herstellungsverfahren entstehen, für 22nm und kleinere Strukturbreiten nicht verwendet werden. 

Hier zeigt die neue FinFET-SRAM-Zelle einen beachtlichen Vorteil, welche durch ihre lamellenförmigen undotierten Siliziumkanälen, eine wesentlich höhere (von ca. 28%) Stabilität im Betrieb aufweist.

Durch diese Entwicklung wird der 22nm-Technologieknoten unerwartet schnell vorangetrieben und das Erscheinen von schnelleren und stromsparenderen Mikroprozessoren (z.B. CPUs) lässt nicht mehr allzulange auf sich warten. 

Quelle: Pressemitteilung

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